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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN 单晶生长方法、GaN 基板制备方法、GaN 系元件制备方法以及GaN 系元件 专利 专利号: CN102634849A, 申请日期: 2012-08-15, 公开日期: 2012-08-15 作者:  八百隆文;  曺明焕 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31