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| 偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
曹可慰; 赵有文
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| 大失配体系硅基无位错异质外延方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
张大林; 李传波; 刘智; 张东亮; 成步文; 王启明
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| 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
作者: 丁凯 ; 段瑞飞; 张连
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| 低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
作者: 潘旭
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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
作者: 李志聪
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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