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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2005 [1]
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专题:半导体研究所
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硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
毛容伟
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滕学公
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李传波
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左玉华
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罗丽萍
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成步文
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于金中
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王启明
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提交时间:2009/06/11
一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31
作者:
叶小玲
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提交时间:2011/08/31
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