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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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内容类型:专利
专题:半导体研究所
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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12, 2010-10-15
王鹏飞
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吴东海
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吴兵朋
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熊永华
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詹 峰
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黄社松
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倪海桥
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牛智川
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2010/08/12
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
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董敬敬
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高红丽
;
施辉东
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/09/09
高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
周旭亮
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于红艳
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米俊萍
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潘教青
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王圩
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2014/11/17
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
尹志岗
;
张曙光
;
张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2012/09/09
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