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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于碳膜的柔性神经微电极及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102179000A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14 李刚; 朱壮晖; 周亮; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130176A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130013A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/06 一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101916730A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 1845308, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2008-03-05, 2008-03-05, 2008-03-05, 2008-03-05 张恩霞; 张正选; 王曦 林成鲁 林梓鑫; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/01/06 一种金属氧化物半导体场效应晶体管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1039153, 申请日期: 1990-01-01, 公开日期: 1990-01-24 龙伟; 徐元森 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/10