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一种低功耗相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101488555, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22
吕士龙; 宋志棠; 刘波; 封松林
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以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101174640, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2008-05-07
陈超; 刘卫丽; 宋志棠; 林成鲁
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