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| 基于共蒸法制备硅纳米晶超晶格结构的方法 专利
专利号: CN200810104757.X, 申请日期: 2011-06-29, 公开日期: 2009-10-28
作者: 陈晨 ; 贾锐; 李维龙; 刘明; 陈宝钦
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| 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 专利
专利号: CN200810102796.6, 申请日期: 2011-02-02, 公开日期: 2009-09-30
作者: 贾锐; 谢常青; 李维龙; 陈晨; 刘明
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| 一种单电子存储器的制备方法 专利
专利号: CN200910080195.4, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2009-09-02
作者: 李维龙; 刘明; 张培文; 李昊峰; 朱晨昕
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| 制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 专利
专利号: CN200710178775.8, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-06-10
作者: 李维龙; 陈晨; 刘明; 陈宝钦; 谢常青
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| 一种单电子器件的制备方法 专利
专利号: CN101436543, 申请日期: 2008-12-19, 公开日期: 2009-05-20
作者: 朱晨昕; 李维龙; 贾锐; 陈晨; 李昊峰
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| 采用电子束蒸发方式制备硅纳米晶体的方法 专利
专利号: CN200710178770.5, 公开日期: 2009-06-10
作者: 刘明; 李维龙; 贾锐; 陈宝钦; 龙世兵
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