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微电子研究所 [4]
内容类型
专利 [4]
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2016 [1]
2013 [1]
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内容类型:专利
专题:微电子研究所
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一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
专利
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者:
欧阳思华
;
赵妙
;
刘新宇
;
魏珂
;
孔欣
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/05/27
具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构
专利
专利号: CN201010235059.0, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2012-02-01
作者:
刘明
;
霍宗亮
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2016/10/10
基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法
专利
专利号: CN200710064878.1, 公开日期: 2008-10-01
作者:
陈大鹏
;
叶甜春
;
易亮
;
欧毅
;
景玉鹏
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2010/11/26
基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法
专利
专利号: CN200710064856.5, 公开日期: 2008-10-01
作者:
欧毅
;
陈大鹏
;
叶甜春
;
景玉鹏
;
易亮
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/26
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