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一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者:  欧阳思华;  赵妙;  刘新宇;  魏珂;  孔欣
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具有高速低压操作的高可靠分裂栅非挥发性存储器结构 专利
专利号: CN201010235059.0, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2012-02-01
作者:  刘明;  霍宗亮
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基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法 专利
专利号: CN200710064878.1, 公开日期: 2008-10-01
作者:  陈大鹏;  叶甜春;  易亮;  欧毅;  景玉鹏
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基于多晶硅特性制作热剪切应力传感器的方法 专利
专利号: CN200710064856.5, 公开日期: 2008-10-01
作者:  欧毅;  陈大鹏;  叶甜春;  景玉鹏;  易亮
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