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MOS晶体管及其制作方法 专利
专利号: CN201010612589.2, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2012-07-11
作者:  钟汇才;  罗军;  赵超
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半导体器件结构及其制造方法 专利
申请日期: 2010-07-13,
作者:  钟汇才;  梁擎擎
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