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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 CMOS Compatible Nonvolatile Memory Devices Based on SiO2/Cu/SiO2 Multilayer Films 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 077201- 作者:  Wang, Y;  Liu, Q;  Lv, HB;  Long, SB;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25 Atomic diffusion in annealed Cu/SiO2/Si (100) system prepared by magnetron sputtering 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: - 作者:  Cao, B;  Jia, YH;  Li, GP;  Chen, XM 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/12/15 diffusion  interface reaction  copper silicides   Atomic diffusion in Cu/Si (111) and Cu/SiO2/Si (111) systems by neutral cluster beam deposition 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1400-1402 作者:  Cao, B;  Li, GP;  Chen, XM;  Cho, SJ;  Kim, H 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/12/15 Diffusion and interface reaction of Cu and Si in Cu/SiO2/Si (111) systems 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA/物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 6550-6555 作者:  Cao, B;  Bao, LM;  Li, GP;  He, SH 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25 thin film  diffusion  interface reaction  silicides