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宁波材料技术与工程研... [3]
新疆理化技术研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2020 [1]
2018 [2]
2013 [1]
学科主题
Physics [4]
Materials ... [1]
Science & ... [1]
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First-principles investigations on MXene-blue phosphorene and MXene-MoS(2)transistors
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2020, 卷号: 31, 期号: 39
作者:
Zhou, Yuhong
;
Zhuge, Xia
;
An, Peng
;
Du, Shiyu
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/12/16
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MONOLAYER WSE2
CONTACTS
Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10
作者:
Huan, Ya-Wei
;
Wang, Xing-Lu
;
Liu, Wen-Jun
;
Dong, Hong
;
Long, Shi-Bing
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2018/12/04
Beta-ga2o3 Single-crystals
Ohmic Contacts
Offsets
Heterostructures
Valence
Growth
Edge
Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10
作者:
Huan, Ya-Wei
;
Wang, Xing-Lu
;
Liu, Wen-Jun
;
Dong, Hong
;
Long, Shi-Bing
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2018/12/04
Beta-ga2o3 Single-crystals
Ohmic Contacts
Offsets
Heterostructures
Valence
Growth
Edge
co-60 gamma-radiation effects on the ideality factor of alxga1-xn p-i-n solar-blind detector with high content of aluminum
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: -
作者:
Zhang Xiao-Fu
;
Li Yu-Dong
;
Guo Qi
;
Luo Mu-Chang
;
He Cheng-Fa
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2013/11/07
high Al content AlxGa1-xN
gamma-ray radiation effects
ideality factor
Ohmic contact
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