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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: - 作者:  Zhang Xiao-Fu;  Li Yu-Dong;  Guo Qi;  Lu Wu;  Lu, W (Lu Wu) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/11/07 X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 13, 页码: 132104 作者:  Xu, XQ;  Li, Y;  Liu, JM;  Wei, HY;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/08 Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 12, 页码: - 作者:  Li Y. L.;  Wang X. J.;  He S. M.;  Zhang B.;  Sun L. X. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/07 External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN cylindrical quantum well wire 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2010, 卷号: 405, 期号: 18, 页码: 3818-3821 Wang, HL; Jiang, LM; Gong, QA; Feng, SL(重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Condensed Matter   External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende GaN/AlGaN cylindrical quantum dot 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: 53710-53710 Jiang, LM; Wang, HL; Wu, HT; Gong, Q; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/11/03 GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES  LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS  SPONTANEOUS POLARIZATION  LOCALIZED EXCITONS  BINDING-ENERGY  STATES  WELLS  PHOTOLUMINESCENCE  PIEZOELECTRICITY  NANOSTRUCTURES   Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: 71908 作者:  Zhang, JC;  Jiang, DS;  Sun, Q;  Wang, JF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/06/29