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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and optical characteristics of phosphor-free InGaN nanopyramid white light emitting diodes by nanospherical-lens photolithography 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 12, 页码: 123101 作者:  Wu K(吴奎);  Wei TB(魏同波);  Zheng HY(郑海洋);  Lan D(蓝鼎);  Wei, XC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/05/12 QUANTUM-WELLS  NONPOLAR  EXTRACTION  EFFICIENCY  PROSPECTS  EMISSION  NANOROD  FACETS  ARRAYS  LAYERS   Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: - 作者:  Zhang Xiao-Fu;  Li Yu-Dong;  Guo Qi;  Lu Wu;  Lu, W (Lu Wu) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/11/07 External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende GaN/AlGaN cylindrical quantum dot 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: 53710-53710 Jiang, LM; Wang, HL; Wu, HT; Gong, Q; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/11/03 GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES  LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS  SPONTANEOUS POLARIZATION  LOCALIZED EXCITONS  BINDING-ENERGY  STATES  WELLS  PHOTOLUMINESCENCE  PIEZOELECTRICITY  NANOSTRUCTURES   Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: 71908 作者:  Zhang, JC;  Jiang, DS;  Sun, Q;  Wang, JF;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/29