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Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an
收藏  |  浏览/下载：130/0  |  提交时间：2020/12/16
Lattice-Mismatch-Induced Oscillatory Feature Size and Its Impact on the Physical Limitation of Grain Size 期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2018, 卷号: 9, 期号: 3
作者:  Deng, Jinyu;  Li, Huihui;  Dong, Kaifeng;  Li, Run-Wei;  Peng, Yingguo
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/12/04
X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 13, 页码: 132104
作者:  Xu, XQ;  Li, Y;  Liu, JM;  Wei, HY;  Liu, XL
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/08
Effect of Mg Doping on the Photoluminescence of GaN:Mg Films by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 67807
Sui, YP; Yu, GH
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10
Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528
作者:  Xu, FJ;  Shen, B;  Lu, L;  Miao, ZL;  Song, J
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/06/29
Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 151907
作者:  Yang, XL;  Zhu, WX;  Wang, CD;  Fang, H;  Yu, TJ
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/29
Evidence of substitutional Co ion clusters in Zn(1-x)Co(x)O dilute magnetic semiconductors 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 77, 期号: 24, 页码: 245208
作者:  Sun, ZH;  Yan, WS;  Zhang, GB;  Oyanagi, H;  Wu, ZY
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/06/29
Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: 252101
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Yang, H;  Zhu, JJ;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/29
Mosaic structure evolution in GaN films with annealing time grown by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1257-1260
作者:  Chen, ZT;  Xu, K;  Guo LP(郭立平);  Guo, LP;  Yang, ZJ
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/29
Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5487-5493
作者:  Zhang, XD;  Lin, DX;  Li, GP;  You, W;  Zhang, LM
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/29

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