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科研机构
高能物理研究所 [2]
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期刊论文 [2]
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2010 [1]
2009 [1]
学科主题
Physics [2]
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Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528
作者:
Xu, FJ
;
Shen, B
;
Lu, L
;
Miao, ZL
;
Song, J
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提交时间:2016/06/29
gallium compounds
III-V semiconductors
MOCVD
photoluminescence
positron annihilation
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 151907
作者:
Yang, XL
;
Zhu, WX
;
Wang, CD
;
Fang, H
;
Yu, TJ
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2016/06/29
doping profiles
Doppler broadening
ferromagnetic materials
gallium compounds
III-V semiconductors
magnetic thin films
manganese compounds
MOCVD
positron annihilation
semiconductor doping
semiconductor thin films
semimagnetic semiconductors
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
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