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科研机构
上海微系统与信息技术... [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2007 [1]
1999 [1]
学科主题
Physics, M... [2]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Strain compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs triangular quantum wells for lasing wavelength beyond 2 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 3237-3240
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Liu, S
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DIODE-LASERS
Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560
Zhang, XH
;
Hu, YS
;
Wu, J
;
Cheng, ZQ
;
Xia, GQ
;
Xu, YS
;
Chen, ZH
;
Gui, YS
;
Chu, JH
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/03/25
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPACE-CHARGE-REGION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE-EPITAXY
INGAALP ALLOYS
LASER-DIODES
RECOMBINATION
EFFICIENCY
PHOTOLUMINESCENCE
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