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Schottky barrier height inhomogeneity of Ti/n-GaAs contact studied by the I-V-T technique 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 553-556
Jiang, YL; Ru, GP; Lu, F; Qu, XP
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Perimeter effects on heavy doping GaAs diodes 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 370-372
Shi, XZ; Wang, L; Xia, GQ
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