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科研机构
上海微系统与信息技术... [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2008 [1]
2007 [3]
2006 [1]
2005 [2]
1999 [1]
学科主题
Physics, M... [8]
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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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External electric field elect on hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN quantum dot
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3017-3020
Jiang, LM
;
Wang, HL
;
Wu, HT
;
Gong, Q
;
Feng, SL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/11/03
GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
NANOSTRUCTURES
RECOMBINATION
ENERGY
STATES
WELLS
Tunable diode laser absorption spectroscopy detection of N2O at 2.1 mu m using antimonide laser and InGaAs photodiode
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2301-2303
Zhang, YG(张永刚)
;
Zhang, XJ
;
Zhu, XR
;
Li, AZ
;
Liu, S
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
QUANTUM CASCADE LASERS
TRACE GAS-DETECTION
SEMICONDUCTOR-LASERS
MQW LASERS
TUNABILITY
An innovative gas sensor with on-chip reference using monolithic twin laser
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 2839-2841
Zhang, YG(张永刚)
;
Tian, ZB
;
Zhang, XJ
;
Gu, Y
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/03/24
QUANTUM CASCADE LASERS
2.1 MU-M
DIODE-LASERS
SEMICONDUCTOR-LASERS
MQW LASERS
ANTIMONIDE
TUNABILITY
Strain compensated AlInGaAs/InGaAs/InAs triangular quantum wells for lasing wavelength beyond 2 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 11, 页码: 3237-3240
Gu, Y
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DIODE-LASERS
Continuous wave performance and tunability of MBE grown 2.1 mu m InGaAsSb/AlGaAsSb MQW lasers
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2262-2265
Zhang, YG(张永刚)
;
Zheng, YL
;
Lin, C
;
Li, AZ
;
Liu, S
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
DIODE-LASERS
ANTIMONIDE
OPERATION
Transient intersubband optical absorption in double quantum well structure
期刊论文
COMMUNICATIONS IN THEORETICAL PHYSICS, 2005, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 759-764
Wu, BH
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
BLOCH OSCILLATIONS
LASER
EMISSION
SUPERLATTICE
INTERFERENCE
SCATTERING
DYNAMICS
Study on infrared absorption of interfaces in direct wafer bonded InP-GaAs structures
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4334-4339
Lao, YF
;
Wu, HZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SEMICONDUCTOR-LASERS
TECHNOLOGY
CHEMISTRY
PHYSICS
Influence of deep levels on the performance of AlGaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 3, 页码: 556-560
Zhang, XH
;
Hu, YS
;
Wu, J
;
Cheng, ZQ
;
Xia, GQ
;
Xu, YS
;
Chen, ZH
;
Gui, YS
;
Chu, JH
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPACE-CHARGE-REGION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE-EPITAXY
INGAALP ALLOYS
LASER-DIODES
RECOMBINATION
EFFICIENCY
PHOTOLUMINESCENCE
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