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科研机构
上海微系统与信息技术... [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2009 [1]
2008 [2]
1998 [1]
1996 [1]
1995 [2]
1994 [1]
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学科主题
Physics, A... [9]
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学科主题:Physics, Applied
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Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251111-251111
Li, SG
;
Gong, Q
;
Lao, YF
;
Yang, HD
;
Gao, S
;
Chen, P
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Feng, SL
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
GAAS
OPERATION
INP
Room temperature continuous-wave operation of InAs/InP (100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 111109-111109
Li, SG
;
Gong, Q
;
Lao, YF
;
He, K
;
Li, J
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Feng, SL
;
Wang, HL
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
1.3 MU-M
GAAS
Monte Carlo simulation of carrier transport and output characteristics of terahertz quantum cascade lasers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 10, 页码: 103113-103113
Li, H
;
Cao, JC
;
Lu, JT
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/11/03
OPERATION
GAAS
SCATTERING
Magnetospectroscopy of high-purity InP grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 72, 期号: 12, 页码: 1487-1488
Shi, XH
;
Liu, PL
;
Shi, GL
;
Hu, CM
;
Chen, ZH
;
Shen, SC
;
Chen, JX
;
Xin, HP
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/25
CYCLOTRON-RESONANCE
MAGNETIC-FIELD
GAAS
POLARONS
SUPERLATTICES
ENERGY
Photoluminescence studies of InAs/InGaAs/AlAs strained single quantum well structures
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 78-80
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Chang, Y
;
Tang, WG
;
Lu, Y
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/25
VAPOR-PHASE EPITAXY
RADIATIVE RECOMBINATION
MATERIAL PARAMETERS
DEVICE APPLICATIONS
BAND-GAPS
GAAS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE OF QUATERNARY GAINASSB/ALGAASSB STRAINED MULTIPLE-QUANTUM WELLS
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1995, 卷号: 78, 期号: 9, 页码: 5696-5700
SHEN, WZ
;
SHEN, SC
;
TANG, WG
;
ZHAO, Y
;
LI, AZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/25
DEVICE APPLICATIONS
MATERIAL PARAMETERS
GAAS
TEMPERATURE
EXCITONS
RECOMBINATION
INGAAS/GAAS
LASERS
ALAS
Raman scattering from longitudinal-optical phonon-plasmon-coupled mode in carbon-doped p-type InGaAs
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1995, 卷号: 78, 期号: 12, 页码: 7265-7268
Qi, M
;
Konagai, M
;
Takahashi, K
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/25
CARRIER CONCENTRATION
GAAS
ALXGA1-XAS
SPECTRA
DETERMINATION OF INTERFACE COHERENCY BY X-RAY DOUBLE-CRYSTAL DIFFRACTION
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1994, 卷号: 75, 期号: 6, 页码: 2805-2808
ZHU, NC
;
LI, RS
;
CHEN, JY
;
XU, SS
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
EPITAXIAL LAYERS
GAAS
IDENTIFICATION OF PARAMAGNETIC ASGA AND OPTICAL EL2 CENTERS IN SEMI-INSULATING GALLIUM-ARSENIDE
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1988, 卷号: 63, 期号: 8, 页码: 2595-2602
WANG, GG
;
ZOU, YX
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/25
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