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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stacking faults in Zr(Fe, Cr)(2) Laves structured secondary phase particle in Zircaloy-4 alloy 期刊论文 NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 2249-2254 作者:  Liu, CZ;  Li, GP;  Yuan, FS;  Han, FZ;  Zhang, YD 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/06/05 Fe  Cr  Transformations   Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601-101601 Liu, YB; Zhang, T; Zhang, GX; Niu, XM; Song, ZT; Min, GQ; Lin, Y; Zhang, J; Zhou, WM; Zhang, JP; Chu, JT; Wan, YZ; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  RESISTANCE   Phase-Change Characteristics and Thermal Stability of GeTe/Sb2Te3 Nanocomposite Multilayer Films 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 115503-115503 Wang, CZ; Zhai, JW; Song, ZT; Yao, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 SUPERLATTICE-LIKE STRUCTURE  SB-TE  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  STORAGE   Performance improvement of phase-change memory cell with cup-shaped bottom electrode contact 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: 103107-103107 Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Gong, YF; Liu, B; Wang, LY; Liu, WL; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 CRYSTALLIZATION  GE2SB2TE5  STORAGE  MEDIA   Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L70-L73 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILM  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  RESISTANCE  STORAGE  MEMORY   Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: 73505-73505 Rao, F; Song, ZT; Wu, LC; Zhong, M; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  CONDUCTION  SEPARATION