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科研机构
上海微系统与信息技术... [6]
金属研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
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2017 [1]
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学科主题:Physics, Applied
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Intercorrelated In-Plane and Out-of-Plane Ferroelectricity in Ultrathin Two-Dimensional Layered Semiconductor In2Se3
期刊论文
NANO LETTERS, 2018, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 1253-1258
作者:
Cui, CJ
;
Hu, WJ
;
Yan, XG
;
Addiego, C
;
Gao, WP
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提交时间:2018/06/05
Thin-films
Phase-transformation
Alpha-in2se3
Piezoelectricity
Temperature
Discovery
Crystal
Chiral phase transition at 180 degrees domain walls in ferroelectric PbTiO3 driven by epitaxial compressive strains
期刊论文
AMER INST PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 期号: 13, 页码: -
作者:
Wang, Yu-Jia
;
Zhu, Yin-Lian
;
Ma, Xiu-Liang
;
Ma, XL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, Wenhua Rd 72, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.
;
Ma, XL (reprint author), Lanzhou Univ Technol, Sch Mat Sci & Engn, Langongping Rd 287, Lanzhou 730050, Gansu, Peoples R China.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/01/10
Simulation of Phase Change Random Access Memory for Low Reset Current and High Thermal Efficiency by Finite Element Modeling
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 64505-64505
Gong, YF
;
Ling, Y
;
Song, ZT
;
Feng, SL
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提交时间:2012/03/24
DEVICE
MEDIA
Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201
Shen, J
;
Liu, B
;
Song, Z
;
Xu, C
;
Rao, F
;
Liang, S
;
Feng, S
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
CHANGE OPTICAL DISK
PHASE-CHANGE MEMORY
GE2SB2TE5 FILM
HIGH-DENSITY
DEVICE
Reversible resistance switching of GeTi thin film used for non-volatile memory
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L1-L3
Shen, J
;
Xu, C
;
Liu, B
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
NEGATIVE RESISTANCE
PHASE-CHANGE
OXIDE-FILMS
TRANSITION
DEVICE
High speed chalcogenide random access memory based on Si2Sb2Te5
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 8-11, 页码: L247-L249
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Rao, F
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, BM
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE MEMORY
DEVICE
FILMS
Investigation of Ge nanocrytals in a metal-insulator-semiconductor structure with a HfO2/SiO2 stack as the tunnel dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 11, 页码: 113105-113105
Wang, SY
;
Liu, WL
;
Wan, Q
;
Dai, JY
;
Lee, PF
;
Suhua, L
;
Shen, QW
;
Zhang, M
;
Song, ZT
;
Lin, CL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
NANOCRYSTAL MEMORY DEVICE
GATE DIELECTRICS
CHARGE-STORAGE
SILICON NANOCRYSTALS
THERMAL-STABILITY
DEPOSITION
Self-organized Ge nanocrystals embedded in HfAlO fabricated by pulsed-laser deposition and application to floating gate memory
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 13110-13110
Liu, WL
;
Lee, PF
;
Dai, JY
;
Wang, J
;
Chan, HLW
;
Choy, CL
;
Song, ZT
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
DEVICE
HFO2
DIELECTRICS
OXIDATION
SIO2
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