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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504 Di, ZF; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  MOBILITY ENHANCEMENT  OXIDATION  ELECTRON   Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 2452-2454 An, ZH; Wu, YJ; Zhang, M; Di, ZF; Lin, CL; Fu, RKY; Chen, P; Chu, PK; Cheung, WY; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  ELECTRON  MOSFETS  LAYER