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p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博
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不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
作者:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强
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