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科研机构
新疆理化技术研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2005 [1]
学科主题
Engineerin... [1]
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栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学锋
;
郑毓峰
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提交时间:2012/11/29
CMOS运算放大器
跨导
栅氧层
氧化物电荷
界面态
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