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科研机构
上海技术物理研究所 [8]
内容类型
学位论文 [8]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2007 [3]
2006 [3]
学科主题
红外探测材料与器件 [8]
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学科主题:红外探测材料与器件
内容类型:学位论文
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平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
包西昌
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/09/11
平面型gan基紫外探测器
器件制备
离子注入
电容特性
负微分电容
HgCdTe材料p型掺杂及相关电学性质
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
魏青竹
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/08/22
分子束外延
Hgcdte
电学性质
少子寿命
GaN基紫外探测器辐照效应的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
白云
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2012/08/14
Gan基材料
紫外探测器
Pin
电子辐照
质子辐照
Γ辐照
碲镉汞材料和器件的氢化研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
乔辉
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/14
氢化
Icp
碲镉汞红外探测器
氮化镓基紫外探测器光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
陈俊
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/08/14
Algan/gan异质结构
欧姆接触
器件制备
极化效应
Schottky
GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
何政
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/07/11
Algan半导体
Rce紫外探测器
光导
Schottky
反射镜
GaN/AlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
游达
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/07/11
Gan/algan异质结构
器件制备
Sio2钝化膜
Mis
极化效应
GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
亢勇
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2012/07/11
Gan基阵列紫外探测器
器件制备
Icp干法刻蚀
结电容频率特性
内量子效率
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