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科研机构
上海技术物理研究所 [9]
内容类型
学位论文 [9]
发表日期
2010 [3]
2008 [1]
2007 [3]
2006 [2]
学科主题
红外探测材料与器件 [9]
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学科主题:红外探测材料与器件
内容类型:学位论文
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平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
包西昌
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/09/11
平面型gan基紫外探测器
器件制备
离子注入
电容特性
负微分电容
GaN基光电器件中雪崩倍增效应及应用
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
王玲
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2012/09/11
Gan基材料
雪崩光电二极管
异质结
欧姆接触
钝化
氮化镓基肖特基光电器件的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
储开慧
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/09/11
Gan基肖特基器件
器件制备
电容特性
真空紫外
氮化镓基紫外探测器腐蚀工艺研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
陈杰
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/08/22
湿法化学腐蚀
欧姆接触
紫外探测器
GaN基紫外探测器辐照效应的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
白云
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/08/14
Gan基材料
紫外探测器
Pin
电子辐照
质子辐照
Γ辐照
氮化镓基雪崩光电二极管的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
许金通
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/08/14
氮化镓基雪崩光电二极管
湿法腐蚀
持续光电导
氮化镓基紫外探测器光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
陈俊
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/08/14
Algan/gan异质结构
欧姆接触
器件制备
极化效应
Schottky
GaN/AlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
游达
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/07/11
Gan/algan异质结构
器件制备
Sio2钝化膜
Mis
极化效应
GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
亢勇
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2012/07/11
Gan基阵列紫外探测器
器件制备
Icp干法刻蚀
结电容频率特性
内量子效率
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