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| Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes 期刊论文
J. Phys.D: Appl. Phys., 2011, 卷号: 44, 期号: 40
作者: Xiaodong Wang; Weida Hu; Xiaoshuang Chen
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| Effects of absorption layer characteristic on spectral photoresponse of mid-wavelength InSb photodiodes 期刊论文
Opt Quant Electron, 2011, 卷号: 42
作者: W.D.Hu; X.S.Chen; Z.H.Ye
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| Study of photosensitive area extension in HgCdTe photodiodes using scanning laser microscopy 会议论文
0, 2011-04-25
作者: Chen YG(陈勇国); Hu WD(胡伟达); Chen XS(陈效双)
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| Effects of absorption layer characteristic on spectral photoresponse of mid-wavelength InSb photodiodes 会议论文
0, 2011-09-05
作者: Hu WD(胡伟达); Chen XS(陈效双); Ye ZH(叶振华)
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| Determination of electron diffusion length in HgCdTe photodiodes using laser beam induced current 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7884-7890
作者: Yin F(殷菲)
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