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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：红外基础研究     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半导体光电功能结构高分辨电子学分析和数值模型 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  黄文超 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/11 载流子分布  扫描电阻分布显微术  扫描电容显微术  红外探测器  量子阱   III-V族半导体纳米线生长机理与性质调控的理论研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  舒海波 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/09/11 Iii-v族半导体  纳米线  第一性原理  生长机理  电子性质   InSb基窄带半导体薄膜的分子束外延和光电特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  张燕辉 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/11 分子束外延  Insb  Inassb  Innsb  反弱局域效应   纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  殷豪 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/09/11 扫描探针显微方法  载流子  Ingaas红外探测器  Gan紫外探测器  电子学分布   InAs1-xSbx和In1-xMnxSb红外薄膜的LPE生长及特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  邓惠勇 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 Inas1-xsbx  In1-xmnxsb  液相外延（lpe）  红外薄膜  稀磁半导体  高阶跃迁  微观结构和形貌  光学性质   Ge基和GaAs基中自旋相关性质的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  周孝好 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2012/07/11 自旋极化  Ge  Gaas  密度泛函理论  铁磁性