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科研机构
兰州化学物理研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2018 [2]
2017 [4]
2016 [1]
学科主题
材料科学与物理化学 [7]
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学科主题:材料科学与物理化学
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One-step synthesis of Cu3BiS3 thin films by a dimethyl sulfoxide (DMSO)-based solution coating process for solar cell application
期刊论文
Solar Energy Materials and Solar Cells, 2018, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 593-598
作者:
Han XX(韩修训)
;
Li J(李健)
;
Wang M(王敏)
;
Li JJ(李佳佳)
;
Dong C(董琛)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/12/18
Cu3bis3
One-step Solution Coating Process
Thin Film Solar Cell
Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations
期刊论文
Applied Physics A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 2, 页码: 108(1-5)
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan, Changzeng
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/06/11
Theoretical investigation of structural, mechanical and electronic properties of GaAs1-xNx alloys under ambient and high pressure
期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 526, 页码: 1-6
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan, Changzeng
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2017/12/18
First-principles Calculations
Gaas1-xnx Alloys
High Pressure
Dilute Nitrides
n Concentration
Band Gap
Enhancing Open-Circuit Voltage of Solution-Processed Cu2ZnSn(S,Se)(4) Solar Cells With Ag Substitution
期刊论文
IEEE Journal of Photovoltaics, 2017, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 874-881
作者:
Zhao Y(赵雲)
;
Han XX(韩修训)
;
Xu, Bin
;
Li W(李文)
;
Li J(李健)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2017/08/28
Ag substitution
Cu2ZnSn(S,Se)(4) (CZTSSe)
open-circuit voltage
thin film solar cells
Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes
期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Gao, Xin
;
Yoshio Ohshita
;
Han XX(韩修训)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/12/18
Gaasn
Schottky Barrier Diodes (Sbds)
Growth Orientation
C-v And G/ω-v Characteristics
Interface States
Facile preparation of Cu3BiS3 nanorods film through a solution dip-coating process
期刊论文
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, 卷号: 28, 期号: 23, 页码: 17772-17777
作者:
Hao, Zhaomin
;
Li JJ(李佳佳)
;
Han XX(韩修训)
;
Zhao Y(赵雲)
;
Li J(李健)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/12/19
Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46
作者:
Li J(李健)
;
Han XX(韩修训)
;
Dong C(董琛)
;
Fan ZZ(范长增)
;
Yoshio Ohshita
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/10/25
GaAsN
First principle calculation
N incorporation
Growth orientation
Chemical potentials
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