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InP/Si键合界面热应力分析 期刊论文
半导体光电, 2006, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 429-433
作者:  伊晓燕;  郭金霞;  刘志强;  于丽娟
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离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 881
王延峰; 刘忠立
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/11/23
多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1002
作者:  于芳
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