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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：微电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种性能优良稳定的微功耗CMOS电压积分器 期刊论文 电路与系统学报, 2007, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 130-133 吴杰; 石寅 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 基于共振隧穿二极管的集成电路研究 期刊论文 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 627-634 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23 利用正多项式响应曲面模型实现模拟电路参数自动生成 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2241-2247 高雪莲; 石寅 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 138-141 姜凡; 尹雪松; 刘忠立 收藏  |  浏览/下载：102/1  |  提交时间：2010/11/23 全耗尽CMOS/SOI工艺 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 104-108 刘新宇; 孙海峰; 刘洪民; 陈焕章; 扈焕章; 海潮和; 和致经; 吴德馨 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 采用晶圆级封装的MEMS器件 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 杨富华 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/08/30