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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles prediction of the magnetism of 3d transition-metal-doped Rocksalt MgO 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 10, 页码: 1292-1296 Shi LJ (Shi Li-Jie) 收藏  |  浏览/下载：20/3  |  提交时间：2010/04/13 Ferromagnetism  Half-metal  Double-exchange mechanism  TEMPERATURE FERROMAGNETISM  ELECTRIC PROPERTIES  ZNO FILMS  II-VI  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  MODEL  SPIN  GAS   Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202 Misuraca J (Misuraca Jennifer); Trbovic J (Trbovic Jelena); Lu J (Lu Jun); Zhao JH (Zhao Jianhua); Ohno Y (Ohno Yuzo); Ohno H (Ohno Hideo); Xiong P (Xiong Peng); von Molnar S (von Molnar Stephan) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/10/11 PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  DX CENTERS  ALXGA1-XAS  GAAS  SEMICONDUCTORS   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：72/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   The formation and electronic structures of 3d transition-metal atoms doped in silicon nanowires 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 8, 页码: art. no. 084307 Xu, Q; Li, JB; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：75/1  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  SEMICONDUCTORS  GAAS  ENERGIES  DOTS  MN   First-principles study of the electronic structures and magnetic properties of 3d transition metal-doped anatase TiO2 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: art. no. 125207 Peng, HW; Li, JB; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 TITANIUM-DIOXIDE  ROOM-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  MODEL   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS