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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202 Misuraca J (Misuraca Jennifer); Trbovic J (Trbovic Jelena); Lu J (Lu Jun); Zhao JH (Zhao Jianhua); Ohno Y (Ohno Yuzo); Ohno H (Ohno Hideo); Xiong P (Xiong Peng); von Molnar S (von Molnar Stephan) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/10/11 PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  DX CENTERS  ALXGA1-XAS  GAAS  SEMICONDUCTORS   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：71/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   First-principles study of transition metal impurities in Si 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201 Zhang ZZ; Partoens B; Chang K; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：61/7  |  提交时间：2010/03/08 SILICON   Spectral properties of a double-quantum-dot structure: A causal Green's function approach 期刊论文 physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 12, 页码: 8727-8733 You JQ; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/08/12 ANDERSON MODEL  RENORMALIZATION-GROUP  TRANSPORT  OSCILLATIONS  IMPURITY  LEVEL