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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2002 [3]
2001 [1]
2000 [3]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [12]
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学科主题:半导体物理
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Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/10/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
BAND
Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
Wang YQ
;
Chen WD
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
silicon-rich silicon oxide
microstructure
light-emission
rapid thermal annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
POROUS SILICON
SI
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
SPECTRA
SYSTEM
Structural characterization of stable amorphous silicon films
期刊论文
solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 283-286
Zhang SB
;
Kong GL
;
Wang YQ
;
Sheng SR
;
Liao XB
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
thin film
photoconductivity and photovoltaics
CONDUCTIVITY
SI
The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422
Wang YQ
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Yang FH
;
Diao HW
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浏览/下载:83/6
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提交时间:2010/08/12
a-Si : O : H
nc-Si
microstructure
annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS SIO2
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON
1.5 mu m luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO : H films
期刊论文
chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 783-786
Liang JJ
;
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chang Y
;
Wang ZG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
erbium
photoluminescence
a-SiO : H
boron and phosphorus co-doping
CRYSTALLINE SI
SILICON
ELECTROLUMINESCENCE
ER
Photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2)
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1386-1389
Liang JJ
;
Wang YQ
;
Chen WD
;
Wang ZG
;
Chang Y
收藏
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浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Er
luminescence
oxygen content
CRYSTALLINE SI
SILICON
ELECTROLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
ER
Photoluminescence and microstructure of the Erbium-Doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2)
期刊论文
chinese physics letters, 2000, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 838-840
Liang JJ
;
Chen WD
;
Wang YQ
;
He J
;
Zheng WM
;
Wang ZG
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
CRYSTALLINE SILICON
LUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SI
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
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