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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:  Li MF
收藏  |  浏览/下载：106/7  |  提交时间：2011/07/05
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As 会议论文
international magnetics conference (intermag), madrid, spain, may 04-08, 2008
作者:  Gan HD
收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/03/09
Comparison of short period InAs/GaSb superlattices on GaSb and GaAs substrates 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:  Xu YQ
收藏  |  浏览/下载：210/35  |  提交时间：2010/03/08
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:  Xu YQ;  Tang B
收藏  |  浏览/下载：221/40  |  提交时间：2010/03/08
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate 期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP; Wang, XF; Duan, Y; He, JX; Zeng, YP
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia 期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ; Zeng, YP; Wang, XL; Liu, HX
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/08
Oxygen pressure dependences of structure and properties of ZnO films deposited on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition 期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 2225-2229 part 1
Zhu, BL; Zhao, XZ; Xu, S; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J
收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2010/03/08
MOCVD growth of InN using a GaN buffer 期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:  Yang H;  Wang LL;  Wang H;  Yang H;  Zhu JJ
收藏  |  浏览/下载：52/1  |  提交时间：2010/03/08
Comment on 期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 156102
Zhou ZW; Li C; Chen SY; Lai HK; Yu JZ
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/08
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As 期刊论文
ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695
作者:  Gan HD
收藏  |  浏览/下载：171/43  |  提交时间：2010/03/08

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