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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW 收藏  |  浏览/下载：125/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BAND-GAP ENERGY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  GANXAS1-X  EMISSION  NITROGEN  ALLOYS  SHIFT  GANAS