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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2002 [3]
2001 [1]
2000 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [8]
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Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008
作者:
Yang XH
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
LASERS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing
期刊论文
chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
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浏览/下载:102/13
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提交时间:2010/08/12
polycrystalline silicon film
rapid thermal processing
microstructure
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
PRESSURE
TRANSISTORS
CRYSTALLIZATION
GROWTH
ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD
期刊论文
plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174
Gu B
;
Xu Y
;
Qin FW
;
Wang SS
;
Sui Y
;
Wang ZG
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浏览/下载:78/7
  |  
提交时间:2010/08/12
ECR plasma
cubic GaN
low pressure MOCVD
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
GAAS
DIMETHYLHYDRAZINE
Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
Wang YQ
;
Chen WD
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
silicon-rich silicon oxide
microstructure
light-emission
rapid thermal annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
POROUS SILICON
SI
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
SPECTRA
SYSTEM
GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:104/13
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GROWTH
WAVELENGTH
GAAS
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
Effect of rapid thermal annealing on GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1280-1282
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Ge W
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LASER
OPERATION
GAAS
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
;
Yoon SF
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LAYERS
GAAS
HYDROGEN
FILMS
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