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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文 physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：59/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS   Ferromagnetic properties in Fe-doped ZnS thin films 期刊论文 optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075 Zhu F; Dong S; Yang GD 收藏  |  浏览/下载：38/1  |  提交时间：2011/07/06 Fe-doped ZnS  First principles calculation  Ferromagnetic properties  High Curie temperature  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS   Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202 Majid A; Sharif R; Ali A; Zhu JJ 收藏  |  浏览/下载：249/25  |  提交时间：2010/03/08 MAGNETIC-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  GAN  CR  ALLOYS  GROWTH  FILMS   High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541 Yang GW; Hwu RJ; Xu ZT; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum-well lasers  semiconductor diodes  semiconductor epitaxial layers  semiconductor lasers  semiconductor materials  NM DIODE-LASERS  WAVE-GUIDE  AMPLIFIER  FRONT-FACET POWER   Cubic-phase GaN light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 17, 页码: 2498-2500 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  NITRIDE  GROWTH