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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：218/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Study on optical properties of Er/Er+O doped GaN thin films 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1621-1626 Song SF (Song Shu-Fan); Chen WD (Chen Wei-De); Xu ZJ (Xu Zhen-Jia); Xu XR (Xu Xu-Rong) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering  GaN  mobility  MOCVD  N-TYPE GAN  NITRIDE  FILMS   Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 Zhu QS; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 LAYER   High-frequency hydrogen-related infrared modes in silicon grown in a hydrogen atmosphere 期刊论文 physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7500-7506 Pajot B; Clerjaud B; Xu ZJ 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 ION-IMPLANTED SILICON  UNIAXIAL-STRESS  ABSORPTION  NITROGEN  DEFECT  GERMANIUM  COMPLEXES  OXYGEN  LEVEL  BANDS