×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [3]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Dyakonov-Perel spin relaxation in InSb/AlxIn(1-x)Sb quantum wells
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 15, 页码: art.no.153307
Li J (Li Jun)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:210/55
  |  
提交时间:2010/03/08
SEMICONDUCTORS
Controllable electron g-factors in HgMnTe quantum spheres
期刊论文
epl, 2008, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 37004
Zhu, YH
;
Xia, JB
收藏
  |  
浏览/下载:48/4
  |  
提交时间:2010/03/08
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
SPIN
HG1-XMNXTE
MAGNETOABSORPTION
NANOCRYSTALS
TEMPERATURE
CD1-XMNXTE
EXCHANGE
DOTS
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
  |  
浏览/下载:72/0
  |  
提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Interplay between s-d exchange interaction and Rashba effect: Spin-polarized transport
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.132112
Yang W (Yang W.)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Zheng HZ (Zheng H. Z.)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/04/11
INJECTION
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
Electronic states in InAs quantum spheres and ellipsoids
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 16, 页码: art.no.165326
Zhu YH
;
Zhang XW
;
Xia JB
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2010/04/11
LEVEL STRUCTURE
DOTS
SEMICONDUCTORS
PARAMETERS
INSB
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace