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科研机构
半导体研究所 [6]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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Raman identification of edge alignment of bilayer graphene down to the nanometer scale
期刊论文
nanoscale, 2014, 卷号: 6, 期号: 13, 页码: 7519-7525
Zhang, X
;
Li, QQ
;
Han, WP
;
Lu, Y
;
Shi, W
;
Wu, JB
;
Mikhaylushkin, AS
;
Tan, PH
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/05/11
Highly Reproducible Nanolithography by Dynamic Plough of an Atomic-Force Microscope Tip and Thermal-Annealing Treatment
期刊论文
ieee transactions on nanotechnology, 2011, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 53-58
Lu XF
;
Balocco C
;
Yang FH
;
Song AM
收藏
  |  
浏览/下载:71/7
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提交时间:2011/07/05
Atomic-force microscope (AFM)
nanolithography
self-switching diodes (SSDs)
2-D electron gas
CONDUCTING POLYMER-FILMS
NANOMETER-SCALE
LITHOGRAPHY
FABRICATION
SURFACES
DEVICES
NANOSTRUCTURES
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Synthesis and characterization of ZnO nanoflowers grown on AIN films by solution deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 640-643
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:51/4
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NANORODS
MECHANISM
NANOWIRES
Rashba spin-orbit coupling in InSb nanowires under transverse electric field
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 7, 页码: art.no.075304
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Xia JB (Xia J. B.)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
CYCLOTRON
RESONANCE
NANORODS
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
molecular beam epitaxy
InGaAs islands
photolumineseence
line-width
1.3 MU-M
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
LUMINESCENCE
STRAIN
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