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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2006 [1]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Spin and momentum filtering of electrons on the surface of a topological insulator
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 16, 页码: article no.162101
作者:
Wu ZH
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浏览/下载:27/3
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提交时间:2011/07/05
SINGLE DIRAC CONE
GRAPHENE
BI2TE3
PHASE
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:193/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
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浏览/下载:130/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Spin-dependent current noises in transport through coupled quantum dots
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 34, 页码: art. no. 345215
Luo, JY
;
Li, XQ
;
Yan, YJ
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浏览/下载:68/2
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提交时间:2010/03/08
SHOT-NOISE
OPEN-SYSTEMS
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805
Wang ZJ
;
Chua SJ
;
Zhou F
;
Wang W
;
Wu RH
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
SURFACE-EMITTING LASERS
ULTRALOW THRESHOLD
OXIDE
INP
DIODES
OXIDATION
Role of the evanescent states in the electron transport in quantum waveguides
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 734-738
Sheng WD
;
Xia JB
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
WIRES
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