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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   New insight into the origin of twin and grain boundary in InP 期刊论文 solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406 Han Y; Lin L 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  synchrotron radiation  LEC GROWTH  CZOCHRALSKI  SINGLE-CRYSTALS