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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [12]
发表日期
2010 [1]
2009 [3]
2008 [1]
2003 [2]
2002 [2]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [12]
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学科主题:半导体物理
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Direct detection of the relative strength of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interaction: Utilizing the SU(2) symmetry
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 033304
Li J (Li Jun)
;
Chang K (Chang Kai)
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浏览/下载:60/1
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提交时间:2010/08/17
RELAXATION ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTORS
SYSTEMS
Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902
Zhang Q
;
Wang XQ
;
He XW
;
Yin CM
;
Xu FJ
;
Shen B
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Ishitani Y
;
Yoshikawa A
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
nondestructive testing
photoconductivity
radiation effects
semiconductor thin films
wide band gap semiconductors
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:82/4
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提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Anisotropic Spin Splitting in Step Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: art. no. 037103
作者:
Hao GD
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浏览/下载:89/31
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提交时间:2010/03/08
RELAXATION ANISOTROPY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
LAYERS
Rashba spin splitting of the minibands of coupled InAs/GaAs pyramid quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 14, 页码: art. no. 143113
Zhang, XW
;
Xu, Q
;
Fan, WJ
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:124/3
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提交时间:2010/03/08
A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99
Kong YC
;
Zhou DY
;
Lan Q
;
Liu JL
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
electroluminescence
state filling effect
OPTICAL-PROPERTIES
WAVELENGTH
EMISSION
LASER
GAAS
DEPENDENCE
LAYER
Magnetic-field-induced nonthermal occupation of higher subbands in a three-barrier tunneling structure
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2003, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 470-473
作者:
Tan PH
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
resonance tunneling
nonthermal occupation
intersubband relaxation
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
POPULATION-INVERSION
ELECTRON
EMISSION
LASER
Occupation modulation of higher subbands in a three-barrier tunnelling structure with a magnetic field
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1509-1512
作者:
Tan PH
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
POPULATION-INVERSION
TUNNELING STRUCTURE
ELECTRON
EMISSION
LASER
Lasing of CdSexS1-x quantum dots in a glass spherical microcavity
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2002, 卷号: 14, 期号: 25, 页码: 6395-6401
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
LASER
PHOTOLUMINESCENCE
Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115317
作者:
Ye XL
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浏览/下载:105/2
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提交时间:2010/08/12
GIANT OPTICAL ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
COMMON-ATOM
ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
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