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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles study of ground-state properties and high pressure behavior of ThO2 期刊论文 journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 399, 期号: 2-3, 页码: 181-188 Wang BT (Wang Bao-Tian); Shi HL (Shi Hongliang); Li WD (Li Wei-Dong); Zhang P (Zhang Ping) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/06/18 ELASTIC PROPERTIES  ACTINIDE DIOXIDES  THORIUM-DIOXIDE  SINGLE-CRYSTAL  STABILITY   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES   Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)