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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2005 [1]
2003 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体物理 [12]
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共12条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Spin injection in the multiple quantum-well LED structure with the Fe/AlO (x) injector
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 649-653
Wu H (Wu Hao)
;
Zheng HZ (Zheng HouZhi)
;
Liu J (Liu Jian)
;
Li GR (Li GuiRong)
;
Xu P (Xu Ping)
;
Zhu H (Zhu Hui)
;
Zhang H (Zhang Hao)
;
Zhao JH (Zhao JianHua)
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浏览/下载:81/2
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提交时间:2010/05/04
spintronics
spin injection
light emitting diode
multiple quantum well
SEMICONDUCTOR SPINTRONICS
Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
  |  
提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Wang, BR
;
Ma, SS
;
Zhou, R
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:50/2
  |  
提交时间:2010/03/08
EXCHANGE INTERACTION
GAAS
PRESSURE
DEPENDENCE
AMPLIFIERS
ELECTRON
EMISSION
EXCITONS
PHOTONS
SPECTRA
High structural and optical quality 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells with higher indium content grown by molecular-beam expitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 16, 页码: art.no.161911
Zhang SY
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Wu DH
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:105/35
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提交时间:2010/03/17
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208
Feng ZH
;
Yang H
;
Zheng XH
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Shen XM
;
Wang YT
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL-GROWTH
FILMS
GAAS
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
期刊论文
compound semiconductors 1998, 1999, 期号: 162, 页码: 433-437
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
Evidence of multimodal patterns of self-organized quantum dots
期刊论文
superlattices and microstructures, 1998, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 353-357
Chen F
;
Feng SL
;
Zhao Q
;
Wang ZR
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
DLTS
quantum dots
GaAs/InAs
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
TRANSITION
GROWTH
ELECTRONIC-STRUCTURE
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
;
Yoon SF
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LAYERS
GAAS
HYDROGEN
FILMS
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