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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102 作者:  Jiang DS;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRES  HETEROSTRUCTURES  NANOSTRUCTURES  MOCVD  POLAR   Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280 Cui, JP; Wang, XF; Duan, Y; He, JX; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS  BULK ZNO  SCATTERING  PRESSURE   Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1418-1419 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 THIN-FILMS  DEPOSITION  DIODES   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：77/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Observation of "ghost" islands and surfactant effect of surface gallium atoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 期刊论文 physical review letters, 2000, 卷号: 85, 期号: 11, 页码: 2352-2355 Zheng LX; Xie MH; Seutter SM; Cheung SH; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 GAN(0001)  FILMS