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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Anode Floating Voltage and its Applications in Characterizing Silicon Drift Detectors 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 042901 Wu GG; Li HR; Liang K; Yang R; Cao XL; Wang HY; An JM; Hu XW; Han DJ 收藏  |  浏览/下载：79/31  |  提交时间：2010/03/08 GAMMA-RAY SPECTROSCOPY  X-RAY  SPECTROMETERS   Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283 作者:  Ji L;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：61/5  |  提交时间：2010/03/08 Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280 Cui, JP; Wang, XF; Duan, Y; He, JX; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS  BULK ZNO  SCATTERING  PRESSURE   Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 8, 页码: art.no.081201 Li J (Li Jingbo); Wei SH (Wei Su-Huai); Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  WAVE BASIS-SET  II-VI  ROOM-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SEMICONDUCTORS  FABRICATION  DEFECTS  DEVICES   1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488 作者:  Wu Donghai;  Han Qin;  Peng Hongling;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Luminescence properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 2003, 期号: 1-2, 页码: 27-33 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：48/14  |  提交时间：2010/03/09 TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEPARATION  WAVELENGTH  LASERS   GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：104/13  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  WAVELENGTH  GAAS