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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文 journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391 Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 Raman spectroscopy  ultrathin Fe(3)O(4) film  crystal orientation  strain  phonon strain-shift coefficient  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  SPIN-TRANSPORT  MAGNETITE  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  SCATTERING  CORROSION  DEVICES  GROWTH   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102 He JF; Wang HL; Shang XJ; Li MF; Zhu Y; Wang LJ; Yu Y; Ni HQ; Xu YQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE   A Programmable Vision Chip Based on Multiple Levels of Parallel Processors 期刊论文 ieee journal of solid-state circuits, 2011, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 2132-2147 Zhang WC; Fu QY; Wu NJ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 RECOGNITION SYSTEMS  FEATURE-EXTRACTION  IMAGE  SENSOR  ARCHITECTURE  DESIGN  ARRAY  VLSI   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction   Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors