QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Study on Er3+ emission from the erbium-doped hydrogenated amorphous silicon suboxide film 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 9, 页码: 5599-5604 Chen CY; Chen WD; Song SF; Xu ZJ; Liao XB; Li GH; Ding K 收藏  |  浏览/下载：319/6  |  提交时间：2010/08/12 THIN-FILMS  SI NANOPARTICLES  PHOTOLUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  EXCITATION  LUMINESCENCE  SIO2-FILMS  OXYGEN  BOND   Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 a-SiOx : H  microstructure  bonding configuration  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  ELECTRONIC-PROPERTIES  SIO2/SI INTERFACE  OXYGEN  FILMS  VIBRATIONS  ALLOYS  SYSTEM   Photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2) 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1386-1389 Liang JJ; Wang YQ; Chen WD; Wang ZG; Chang Y 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 Er  luminescence  oxygen content  CRYSTALLINE SI  SILICON  ELECTROLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  ER   High-frequency hydrogen-related infrared modes in silicon grown in a hydrogen atmosphere 期刊论文 physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7500-7506 Pajot B; Clerjaud B; Xu ZJ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 ION-IMPLANTED SILICON  UNIAXIAL-STRESS  ABSORPTION  NITROGEN  DEFECT  GERMANIUM  COMPLEXES  OXYGEN  LEVEL  BANDS